Sony TA-FA70ES

95,000 

В наличии в Москве. Бывшие в употреблении, работоспособность проверена. Цена соответствует состоянию. Имеется возможность отправки в регионы.

SONY TA-FA70ES – (релиз в 1997 году)
Описание
Эта модель была разработана как референсный усилитель в линейке ES (Elevated Standard) от Sony.

Полностью MOSFET-архитектура
Все каскады усиления построены на MOSFET-транзисторах. Эти полупроводниковые элементы обладают отличными высокочастотными характеристиками и высокой скоростью переключения. Благодаря высокому входному сопротивлению, они минимизируют взаимовлияние между каскадами. Кроме того, MOSFET-транзисторы создают меньше нелинейных искажений, особенно заметных на слух нечётных гармоник (3-й, 5-й и т. д.), а также значительно снижают кроссоверные искажения, характерные для биполярных транзисторов в push-pull-схемах.

В выходном каскаде используются неметаллические MOSFET-транзисторы с золотым покрытием.

Оптимизированная схема смещения (Fixed Optical Bias Circuit)
Для стабилизации работы усилителя в схему смещения добавлен оптический элемент с аналогичной MOSFET температурной характеристикой, что позволяет минимизировать колебания тока покоя. Кроме того, в цепи смещения применяются увеличенные конденсаторы, снижающие импеданс и подавляющие паразитные гармоники.

В отличие от традиционных решений с термокомпенсацией, в TA-FA70ES используется фиксированное смещение: термодатчик отслеживает лишь общий нагрев шасси, а не температуру транзисторов. Это исключает нестабильность после пиковых нагрузок и обеспечивает более естественное, «раскрепощённое» звучание, недостижимое для биполярных транзисторов.

Усовершенствованный тороидальный трансформатор
Сердечник трансформатора имеет эллиптическое сечение, что повышает плотность обмотки и снижает вибрации. Благодаря укороченной длине обмотки уменьшается импеданс, что позволило увеличить мощность (до 600 ВА) без роста габаритов.

В новой версии трансформатора:

Первичная обмотка (на 100 В) перемещена внутрь, а вторичная — наружу, что блокирует проникновение сетевых помех в шасси.

Применена бифилярная намотка с симметричной длиной для «+» и «–» плеч, улучшающая соотношение сигнал/шум.

Улучшенная схема питания (Advanced S.T.D. Power Supply)
В системе раздельного питания (S.T.D.) выпрямительные цепи для каскадов напряжения (класс А) и мощности работают независимо, предотвращая влияние мощностных колебаний на чувствительные участки. В обновлённой версии увеличен трансформатор и установлены конденсаторы большей ёмкости для ещё большей стабильности.

Компоновка и экранирование

Твин-моно конструкция: блок питания расположен в центре, а усилительные модули и радиаторы — симметрично по бокам. Радиаторы развёрнуты рёбрами внутрь, чтобы максимально разнести силовые MOSFET-транзисторы и трансформатор. Это снижает перекрёстные помехи и улучшает разделение каналов.

Шасси разделено на 5 изолированных блоков: предусилитель, блок питания, левый/правый усилители мощности и блок управления. Это минимизирует электромагнитные и вибрационные наводки.

Медное покрытие шасси и радиаторов уменьшает вихревые токи.

Эксцентриковые демпфирующие ножки гасят вибрации.

Дополнительные особенности

Фоно-вход (MM/MC) на FET-транзисторах.

Премиальные компоненты: герметичные реле, углеродистые резисторы, бескислородные кабели (OFC), аудиофильские конденсаторы.

Балансный вход (XLR) с повышенной помехозащищённостью.

Металлоплёночные модули (Metal Core Module) на термостойкой подложке для входных цепей.

Схема Pure Input Circuit сокращает количество контактов между входом и регулятором громкости, защищая слабый сигнал.

Переключаемая АЧХ в блоке тонкомпенсации.

Режим Source Direct отключает тон- и баланс-коррекцию для чистого тракта.

Предвыходы (Pre Out) для подключения внешнего усилителя.

ТипИнтегрированный усилитель
Максимальная выходная мощность (20 Гц – 20 кГц)120 Вт + 120 Вт (4 Ом)
100 Вт + 100 Вт (6 Ом)
80 Вт + 80 Вт (8 Ом)
Чувствительность входа / импедансPhono MM: 2.5 мВ / 50 кОм
Phono MC: 170 мкВ / 100 Ом
Line: 150 мВ / 50 кОм
Уровень выхода / импедансRec out: 150 мВ / 1 кОм
Наушники: 25 мВт (8 Ом)
Коэффициент гармонических искажений0,008% (при 10 Вт, 8 Ом)
Коэффициент интермодуляционных искажений (60 Гц : 7 кГц = 4:1)0,008% (номинальная мощность, 8 Ом)
АЧХ (частотная характеристика)Phono MM: 20 Гц – 20 кГц ±0,2 дБ
Line: 2 Гц – 100 кГц +0 -3 дБ
Соотношение сигнал/шумPhono MM: 87 дБ
Phono MC: 76 дБ
Line: 105 дБ
Тонкомпенсация
НЧ:

ВЧ:

±8 дБ (100 Гц, точка переключения 400 Гц)
±6 дБ (100 Гц, точка переключения 200 Гц)
±7 дБ (10 кГц, точка переключения 3 кГц)
±5 дБ (10 кГц, точка переключения 6 кГц)
Дополнительные функцииРежим прямого источника (Source Direct)
Отключение Rec out
Селектор Rec out
Переключение точек среза тона
Питание100 В, 50 Гц / 60 Гц
Потребляемая мощность230 Вт
Габариты (Ш × В × Г)430 × 175 × 450 мм
Вес~23 кг

Мы Вам перезвоним

Оформить заявку