Sony TA-F555ESL

SONY TA-F555ESL – (релиз 1990 г.)

Описание

Стерео усилитель мощности, в котором в качестве выходных элементов используются MOS FET транзисторы.

Ключевые особенности5

• В комплекте поставляется беспроводной пульт дистанционного управления для регулировки громкости и выбора источника.

• Во избежание ухудшения звука из-за соответствия требованиям ДУ, не используются электронные регуляторы громкости и электронные переключатели. Вместо этого:

  • Регулятор громкости вращается с помощью небольшого мотора, установленного внутри.

  • Кнопочные переключатели функций вращают механические поворотные переключатели, расположенные внутри.

  • Когда операции не выполняются, микроконтроллер отключается, чтобы исключить его влияние на звук.

Выходной каскад

• В качестве выходных транзисторов используются MOS FET.

• Преимущества MOS FET: отрицательный температурный коэффициент и высокая термическая стабильность, что обеспечивает широкую область безопасной работы (ASO) и отсутствие вторичного пробоя. Являясь приборами с большинством носителей, они способны к высокоскоростной коммутации даже при больших токах. Высокое входное сопротивление позволяет принципиально разделить каскады усиления напряжения (класс A) и мощности (класс B).

• Используется 2 пары (всего 8 штук) мощных MOS FET в параллельной push-pull схеме.

Шасси

• Применено шасси Acoustically Tuned Gibraltar Chassis (G-Chassis), разработанное с учетом всех аспектов (материал, форма) для достижения отсутствия вибраций и резонансов.

• Материал: Основной компонент — карбонат кальция (основной компонент мрамора), усиленный ненасыщенным полиэстером и стекловолокном. По сравнению с металлом, он обладает большим внутренним демпфированием, превосходными виброгасящими свойствами, высокой прочностью и допускает высокоточную обработку. Будучи немагнитным и неметаллическим, он исключает электромагнитные искажения, наводимые магнитными полями от трансформаторов и конденсаторов, а также вихревые токи.

• Форма: Простая конструкция без выступов для исключения локальных резонансов. Толщина стенок увеличена, для повышения жесткости добавлены ребра, расположенные случайным образом (разная толщина и расстояние) для предотвращения возникновения определенных резонансных мод.

Конструкция и теплоотвод

• Радиатор изготовлен из крупного экструдированного алюминиевого профиля толщиной до 20 мм в зоне крепления силовых транзисторов.

• Передняя панель, панель разъемов и корпус скреплены между собой и зафиксированы на G-шасси с помощью соединительных уголков, создавая взаимно усиленную жесткую конструкцию.

Блок питания

• Используется схема S.T.D. (Spontaneous Twin Drive): выпрямительные цепи для каскада напряжения (класс A) и каскада мощности (класс B) разделены. Это предотвращает их взаимное влияние на большой громкости.

• Вместо простого увеличения емкости, электролитические конденсаторы выполнены по stacking-технологии (несколько малых конденсаторов, соединенных параллельно внутри одного корпуса). Это улучшает способность отдавать мгновенный ток и снижает паразитную индуктивность, обеспечивая более естественное звучание.

• Конденсаторы для каскадов A и B разнесены spatially, чтобы избежать влияния магнитного поля от более крупных конденсаторов класса B на конденсаторы класса A. Большие конденсаторы класса B жестко закреплены на виброизолирующих платформах.

• Используется крупный трансформатор, выбранный с учетом баланса с конденсаторами. Он заключен в двойной магнитный экран и залит компаундом для жесткой фиксации на G-шасси. Материал сердечника был выбран в ходе многочисленных прослушиваний.

• Установлен ES-фильтр для подавления помех из сети переменного тока.

Схемотехника

• Простая структура: схема усилителя состоит только из фонокорректора и усилителя мощности.

• Усилитель мощности: Используется схема S.L.L. (Super Legato Linear) для снижения коммутационных и кроссоверных искажений в выходном каскаде в широкой полосе частот и динамическом диапазоне. Это обеспечивает низкие искажения не только на максимальной мощности, но и на типичных уровнях прослушивания.

• Фонокорректор (для MC-картриджей): Используются полевые транзисторы (FET) с низким уровнем шума и высокой крутизной (gm), обладающие отличной ВЧ-характеристикой и исключающие TIM-искажения.

• Тонкомпенсация: Используется CR-схема, что позволяет реализовать низкоомный аттенюатор, который улучшает соотношение сигнал/шум на малой громкости. Эффект коррекции не зависит от положения регулятора громкости.

Функциональность

• Кнопка Source Direct: При активации отключает цепи тонкоррекции, субсонического фильтра, баланса и режима, пропуская сигнал напрямую от входного селектора к аттенюатору и усилителю мощности.

• Прямой вход (Direct In): Обходит входной селектор.

• Адаптерные клеммы: Для удобного подключения графического эквалайзера или процессора объемного звука. Переключение между адаптером и нормальным режимом осуществляется переключателем на передней панели.

• Позолоченные разъемы: Все разъемы типа «pin jack» имеют золотое покрытие для снижения переходного сопротивления.